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Wide Bandgap Semiconductors

Für Anwendungen, die eine hohe Schaltfrequenz erfordern oder bei denen der Wirkungsgrad besonders hoch sein muss, setzten wir Wide-Bandgap Halbleiter ein. Grundsätzlich versuchen wir, die Ziele mit konventionellen Schaltertechnologien wie MOSFETS oder IGBTs zu erreichen.

Zum Einsatz kommen einzelne SiC Schalter in konventionellen Packages und bei höheren Leistungen Halbleitermodule mit integrierten SiC Schaltern.

Wenn für die zu designende Anwendung keine Module am Markt verfügbar sind, sind wir in der Lage, auf Basis von IMS Substraten eigene Layouts umzusetzen und die Anforderungen der jeweiligen Anwendung zu erfüllen.

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