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IGBT / MOSFET

Für die jeweilige Anwendung führen wir Technologiestudien durch und wählen die optimale Leistungshalbleitertechnologie aus. Dabei werden Durchlass-, Schaltverhalten und die Zyklenfestigkeit betrachtet.

In Anwendungen, bei denen die Schaltfrequenz unter 30 kHz liegt und die Spannungen unter 1200 V DC liegen, können moderne konventionelle schnell schaltende IGBTs eine kostengünstige Alternative zu SiC Halbleitern sein.

Im Bereich von Spannungen unter 600 V DC ist der Einsatz von MOSFETs häufig zielführend.

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