Have any questions?
+44 1234 567 890
IGBT / MOSFET
Für die jeweilige Anwendung führen wir Technologiestudien durch und wählen die optimale Leistungshalbleitertechnologie aus. Dabei werden Durchlass-, Schaltverhalten und die Zyklenfestigkeit betrachtet.
In Anwendungen, bei denen die Schaltfrequenz unter 30 kHz liegt und die Spannungen unter 1200 V DC liegen, können moderne konventionelle schnell schaltende IGBTs eine kostengünstige Alternative zu SiC Halbleitern sein.
Im Bereich von Spannungen unter 600 V DC ist der Einsatz von MOSFETs häufig zielführend.
